我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)
來源：環(huán)球時報 時間：2024-09-19 18:34
近日，國家原子能機構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心暨國家電力投資集團公司下屬核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司完成首批高能氫離子注入芯片產(chǎn)品交付，產(chǎn)品各項性能指標達到國際先進水平，標志著我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術(shù)，打通了我國功率芯片產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵一環(huán)。
目前，該研發(fā)中心在江蘇無錫建設(shè)的國內(nèi)首條功率芯片高能氫離子注入生產(chǎn)線已建成投運。項目團隊以2年時間集智攻關(guān)，突破多項關(guān)鍵核心技術(shù)，完成自主研制的氫離子注入專用加速器調(diào)試出束，實現(xiàn)100%技術(shù)自主和裝備零部件國產(chǎn)化，并完成首批800片芯片交付。
據(jù)介紹，功率芯片是現(xiàn)代電力電子設(shè)備的核心部分，廣泛應(yīng)用于軍工、新能源、航空航天、軌道交通、特高壓輸變電等領(lǐng)域。光刻、刻蝕和離子注入是芯片制造三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其中氫離子注入是實現(xiàn)離子注入的高精尖技術(shù)，對于提高電力電子設(shè)備性能、效率和可靠性至關(guān)重要。此前，由于我國氫離子注入核心技術(shù)及裝備缺失，國產(chǎn)功率芯片可靠性難以突破，一度成為制約我國功率芯片產(chǎn)業(yè)高端化發(fā)展的關(guān)鍵"卡脖子"問題。國家原子能機構(gòu)充分發(fā)揮核技術(shù)優(yōu)勢，瞄準功率芯片氫離子注入關(guān)鍵技術(shù)，依托涉核企事業(yè)單位在加速器、材料輻照等核領(lǐng)域技術(shù)優(yōu)勢，積極賦能功率芯片研制，助力產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。
責(zé)任編輯：余璇
